Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми...

Main
Technique - Electronics: Microprocessor Technology
Выращивание полупроводниковых...

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы

Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.

0 / 4.5

როგორ მოგეწონათ ეს წიგნი?

როგორი ხარისხისაა ეს ფაილი?

ჩატვირთეთ, ხარისხის შესაფასებლად

როგორი ხარისხისაა ჩატვირთული ფაილი?

Описание лабораторной работы - Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС

კატეგორია:

Technique - Electronics: Microprocessor Technology

წელი:

2001

გამომცემლობა:

ЭБС Лань

ენა:

russian

გვერდები:

18

ფაილი:

PDF, 503 KB

IPFS:

,

russian, 2001

ონლაინ წაკითხვა

ჩატვირთვა (pdf, 503 KB)

ხორციელდება კონვერტაციის -ში

კონვერტაციის -ში ვერ მოხერხდა

შესაძლოა დაგაინტერესოთ

Глущенко А. Г., Глущенко Е. П., Гончарова Г. Н., Жуков С. В., Поволж. гос. ун-т телекоммуникаций и информатики — Оптическое материаловедение. Материалы и технологии оптических элементов

Коллектив авторов — Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы

Баранов А.В., Маслов В.Г., Орлова А.О., Федоров А.В. — Практическое использование наноструктур

В.Д. Шашурин — Формирование гетероструктур наноприборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Павлова И.Б. — Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ

Баранов А.В., Маслов В.Г., Орлова А.О., Федоров А.В. — Практическое использование наноструктур

Власенко Н.В. — Нанотехнологии на основе полупроводниковых материалов

Усанов Д.А., Яфаров Р.К. — Исследование самоорганизации нанокристаллитов в плазме СВЧ газового разряда низкого давления

Карпович И.А., Филатов Д.О., Горшков А.П. — Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетеронаноструктур

Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В. — Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии

Левичев В.В. — Электронные и фотонные устройства: принцип работы, технологии изготовления

Дубровский В.Г. — Теоретические основы технологии полупроводниковых наноструктур

Жуков А.Е. — Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур

Ковалев А.Н. — Гетероструктурная наноэлектроника

Филатов Д.О., Исаков М.А., Круглова М.В. — Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si

Ченг Л. (ред.), Плог К. (ред.) — Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры

Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. — Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

Карпович И.А. — Квантовая инженерия: самоорганизованные квантовые точки

Кульбачинский В.А. — Полупроводниковые квантовые точки

Шик А.Я и др. — Физика низкоразмерных систем: Учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по направлению ''Техн. физика''

Оура К., и др.(Oura K., et al.) — Введение в физику поверхности

Ченг Л. (ред) — Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры

Херман, М.А.;Шик, А.Я.;пер — Полупроводниковые сверхрешетки

Шелованова Г.Н. — Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники

Зимин С.П., Горлачев Е.С. — Наноструктурированные халькогениды свинца: монография

Пархоменко Ю.Н., Полисан А.А. — Физика и технология приборов фотоники.Солнечная энергетика и нанотехнологии

Орлова М.Н., Борзых И.В. — Наноэлектроника. Курс лекций

Афанасьев А.В., Афанасьев В.П., Глинский Г.Ф., Голудина С.И.;Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. — Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы

Овидько, Илья Анатольевич;Шейнерман, Александр Григорьевич — Наномеханика квантовых точек и проволок

Праттон М. — Введение в физику поверхности

Герасименко Николай Николаевич, Пархоменко Юрий Николаевич — Кремний - материал наноэлектроники : учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 "Нанотехнология" и 210100 "Электроника и микроэлектроника"

Мокеров В.Г. — Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике

В. А. Сергеев ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" — Элементы и устройства наноэлектроники: учебное пособие

საკვანძო ფრაზები

островков

поверхности

гетероструктур

подложки

покровного

островка

поверхностной

квантовых

квантовыми

процессе

температура

выращивания

дефектов

материала

образования

размерам

гетероструктурах

гетероструктуры

изменение

кластеров

легирования

механизму

примесей

самоорганизации

температуре

формирования

эпитаксии

водорода

выращенных

концентрация

материалов

механизм

осаждения